熱銷產(chǎn)品

FF200R12KS4英飛凌IGBT模塊

產(chǎn)品作用和性能：

英飛凌FF200R12KS4 是英飛凌公司專門針對高頻應(yīng)用領(lǐng)域而開發(fā)發(fā)行的62mmC-Series模塊，在變頻器中的應(yīng)用實現(xiàn)了系統(tǒng)的高效率和小型化，其開關(guān)頻率在20~50kHz的應(yīng)用場合能發(fā)揮最大優(yōu)良特性。而在典型情況下， IGBT模塊的優(yōu)化，所針對的載波頻率卻是10kHz或更低。通常，在IGBT/FWD芯片的通態(tài)壓降和開關(guān)損耗之間有一個折衷關(guān)系。高速模塊在進行性能折衷時，是讓通態(tài)電壓偏大，以換取偏低的開關(guān)功耗，從而能在高頻應(yīng)用中實現(xiàn)最低的總功耗。其在醫(yī)療應(yīng)用、電機傳動、諧振逆變器應(yīng)用、伺服驅(qū)動器、UPS系統(tǒng)作為高頻開關(guān)使用。

英飛凌IGBT模塊FF200R12KS4

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英飛凌FF200R12KS4機械特性：

• 封裝的CTI>400

• 高爬電距離和電氣間隙

• 絕緣的基板

• 銅基板

• 標封裝

英飛凌FF200R12KS4 基本參數(shù):IGBT模塊,1200V/200A DUAL

英飛凌FF200R12KS4 外形封裝尺寸和結(jié)構(gòu)圖

英飛凌FF200R12KS4 產(chǎn)品參數(shù)：

產(chǎn)品種類： IGBT 模塊

產(chǎn)品： IGBT Silicon Modules

品牌和型號英飛凌FF200R12KS4

配置： Dual

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO： 1200 V

集電極—射極飽和電壓： 3.2 V

在25 C的連續(xù)集電極電流： 275 A

柵極—射極漏泄電流： 400 nA

功率耗散： 1.4 kW

最大工作溫度： + 125 C

封裝 / 箱體： 62 mm

商標： Infineon Technologies

柵極/發(fā)射極最大電壓： +/- 20 V

最小工作溫度： - 40 C

安裝風格： Screw

產(chǎn)品價格和中英文資料聯(lián)系我們咨詢和索取

每盒數(shù)量： 10

英飛凌FF200R12KS4 等效電路

英飛凌FF200R12KS4 IGBT模塊受損原因分析

IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：

　　--IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓;

　　--IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓;

　　--流過IGBT集電極-發(fā)射極的電流;

　　--IGBT的結(jié)溫。

　　如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓，即驅(qū)動電壓過低，則IGBT不能穩(wěn)定正常地工作，如果過高超過柵極-發(fā)射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞;同樣，如果加在IGBT集電極與發(fā)射極允許的電壓超過集電極-發(fā)射極之間的耐壓，流過IGBT集電極-發(fā)射極的電流超過集電極-發(fā)射極允許的最大電流，IGBT的結(jié)溫超過其結(jié)溫的允許值，IGBT都可能會永久性損壞。

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